HGD120N10AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGD120N10AL
Código: GD120N10AL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 21 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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HGD120N10AL Datasheet (PDF)
hgi120n10al hgd120n10al.pdf
,HGI120N10AL HGD120N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level11.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability15.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Drain Synchronous Rectific
hgi120n10a hgd120n10a.pdf
,HGI120N10A HGD120N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching12.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability59 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in
hgd120n06sl hgi120n06sl.pdf
HGD120N06SL , HGI120N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability12RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness47 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication
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