HGD130N12SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGD130N12SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: TO-252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HGD130N12SL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGD130N12SL datasheet

 ..1. Size:1206K  cn hunteck
 hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf pdf_icon

HGD130N12SL

HGI130N12SL HGD130N12SL , P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous

Otros transistores... HGD080N08SL, HGI090N06SL, HGD090N06SL, HGI120N10A, HGD120N10A, HGI120N10AL, HGD120N10AL, HGI130N12SL, 13N50, HGI200N10SL, HGD200N10SL, HGK026N15S, HGK030N06S, HGM046NE6A, HGM046NE6AL, HGM059N08AL, HGM079N06SL