HGD130N12SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGD130N12SL
Código: GD130N12SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 68 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 31 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 222 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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HGD130N12SL Datasheet (PDF)
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HGI130N12SL HGD130N12SL, P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature 120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous
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