HGD130N12SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGD130N12SL
Маркировка: GD130N12SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 68 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 222 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0125 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HGD130N12SL
HGD130N12SL Datasheet (PDF)
..1. Size:1206K cn hunteck
hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf
hgi130n12sl hgd130n12sl.pdf
HGI130N12SL HGD130N12SL, P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature 120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 68 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
