SP2106 Todos los transistores

 

SP2106 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP2106

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de SP2106 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SP2106 datasheet

 ..1. Size:110K  samhop
 sp2106.pdf pdf_icon

SP2106

Green Product SP2106 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 2.0 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 1A 2.4 @ VGS=4.5V ESD Protected. 5 4 D2 G 2 6 3 D2 S 2 PIN1 D1 7 2 G 1 8 1 D1 S 1 PDFN 5x6 ABSO

 9.1. Size:119K  samhop
 sp2102.pdf pdf_icon

SP2106

Green Product SP2102 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 100V 2.0A 216 @ VGS=10V Suface Mount Package. D1 D1 D2 D2 DFN 3x3 PIN1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)

 9.2. Size:111K  samhop
 sp2107.pdf pdf_icon

SP2106

Green Product SP2107 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 0.8 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 1.2A 0.93 @ VGS=4.5V ESD Protected. 5 4 D2 G 2 6 3 D2 S 2 PIN1 D1 7 2 G 1 8 1 D1 S 1 PDFN 5x6 A

 9.3. Size:111K  samhop
 sp2103.pdf pdf_icon

SP2106

Green Product SP2103 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.3 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 220 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 2.2A 350 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2 PIN1 PDFN 5x6 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FDS89141 , SP2112 , FDS89161 , SP2110 , FDS89161LZ , SP2108 , FDS8928A , SP2107 , 75N75 , FDS8935 , FDS8949 , FDS8949F085 , FDS8958AF085 , SP2103 , SP2102 , FDS8958B , SP2013 .

History: SIHP120N60E | LSE55R140GT | MTE050N15BRV8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.