HGN035N10AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGN035N10AL
   Código: GN035N10AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 144 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 90 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 939 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGN035N10AL

HGN035N10AL Datasheet (PDF)

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hgn035n10al.pdf

P-1HGN035N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level3.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness149 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectific

4.1. Size:955K cn hunteck
hgn035n10a.pdf

P-1HGN035N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability3.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness144 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

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hgn035n08al.pdf

HGN035N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.2RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness118 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Recti

7.2. Size:908K cn hunteck
hgn035n08a.pdf

HGN035N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching3RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability121 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

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