HGN036N08SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGN036N08SL
   Código: GN036N08SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 114 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 69 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 555 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGN036N08SL

HGN036N08SL Datasheet (PDF)

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hgn036n08sl.pdf

HGN036N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 3.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability3.7RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness132 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronou

4.1. Size:766K cn hunteck
hgn036n08s.pdf

HGN036N08S P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching3.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability131 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

5.1. Size:765K cn hunteck
hgn036n08a.pdf

HGN036N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching3.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability138 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

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hgn036n08al.pdf

HGN036N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching2.7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability3.8RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness138 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectificatio

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