HGN100N12SL Todos los transistores

 

HGN100N12SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN100N12SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 242 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN100N12SL Datasheet (PDF)

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 hgn100n12sl.pdf pdf_icon

HGN100N12SL

P-1HGN100N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness83 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in

 4.1. Size:1064K  cn hunteck
 hgn100n12s.pdf pdf_icon

HGN100N12SL

P-1HGN100N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching7.8RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability102 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

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History: PSMN2R0-25YLD | AO4800 | IXTM4N90 | VBZE80N10 | ELM33408CA | STP3N62K3 | 6N60KG-TF2-T

 

 
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