HGN100N12SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN100N12SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 242 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN100N12SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN100N12SL даташит

 ..1. Size:1074K  cn hunteck
 hgn100n12sl.pdf pdf_icon

HGN100N12SL

P-1 HGN100N12SL 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 8.6 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 83 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in

 4.1. Size:1064K  cn hunteck
 hgn100n12s.pdf pdf_icon

HGN100N12SL

P-1 HGN100N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching 7.8 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 102 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Другие IGBT... HGN093N12S, HGN093N12SL, HGN095NE4SL, HGN098N10A, HGN098N10AL, HGN098N10SL, HGN099N15S, HGN100N12S, IRFP250N, HGN110N08A, HGN110N08AL, HGN110N10SL, HGN115N15S, HGN115N15SL, HGN119N15S, HGN120N06SL, HGN120N10A