HGN120N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN120N10A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HGN120N10A datasheet

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HGN120N10A

HGN120N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 12.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 50.8 A ID (Silicon limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID (Package limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and

 0.1. Size:909K  cn hunteck
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HGN120N10A

P-1 HGN120N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 11.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 15.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 51 A ID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 45 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous

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HGN120N10A

HGN120N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 12 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 47 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous R

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