HGN130N12SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN130N12SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HGN130N12SL datasheet

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HGN130N12SL

P-1 HGN130N12SL 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 10.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 61 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous

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HGN130N12SL

P-1 HGN130N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching 10 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 62.7 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switc

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