HGN130N12SL Todos los transistores

 

HGN130N12SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN130N12SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN130N12SL Datasheet (PDF)

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HGN130N12SL

P-1HGN130N12SL120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level10.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness61 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

 4.1. Size:904K  cn hunteck
 hgn130n12s.pdf pdf_icon

HGN130N12SL

P-1HGN130N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching10RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability62.7 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switc

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History: 2SJ276 | ME3587-G | AOTS26108 | APT4014BVFRG | SFB021N80C3 | SPA11N60CFD | 2SK1896

 

 
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