HGN130N12SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN130N12SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN130N12SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN130N12SL даташит

 ..1. Size:910K  cn hunteck
 hgn130n12sl.pdf pdf_icon

HGN130N12SL

P-1 HGN130N12SL 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 10.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 61 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous

 4.1. Size:904K  cn hunteck
 hgn130n12s.pdf pdf_icon

HGN130N12SL

P-1 HGN130N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching 10 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 62.7 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switc

Другие IGBT... HGN110N10SL, HGN115N15S, HGN115N15SL, HGN119N15S, HGN120N06SL, HGN120N10A, HGN120N10AL, HGN130N12S, K3569, HGN155N15S, HGN170A10AL, HGN170N10AL, HGN190N15S, HGN195N15S, HGN195N15SL, HGN200N10SL, HGN210N12SL