HGN195N15S Todos los transistores

 

HGN195N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN195N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN195N15S Datasheet (PDF)

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HGN195N15S

P-1HGN195N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching17.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability47.3 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circui

 0.1. Size:1004K  cn hunteck
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HGN195N15S

P-1HGN195N15SL150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness46 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrai

 9.1. Size:780K  cn hunteck
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HGN195N15S

HGN190N15S P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeature15RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching19RDS(on),max m Enhanced Body diode dv/dt capability60 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication DC-DC Conversion Drain

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History: PB6D2BX | BSC098N10NS5 | SSM3K324R | IPA65R310CFD | IPA60R380P6 | SUM110N03-03P | AJCS160N08I

 

 
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