HGN195N15SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN195N15SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de HGN195N15SL MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGN195N15SL datasheet

 ..1. Size:1004K  cn hunteck
 hgn195n15sl.pdf pdf_icon

HGN195N15SL

P-1 HGN195N15SL 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 17.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 46 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drai

 4.1. Size:905K  cn hunteck
 hgn195n15s.pdf pdf_icon

HGN195N15SL

P-1 HGN195N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 17.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 47.3 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circui

 9.1. Size:780K  cn hunteck
 hgn190n15s.pdf pdf_icon

HGN195N15SL

Otros transistores... HGN120N10AL, HGN130N12S, HGN130N12SL, HGN155N15S, HGN170A10AL, HGN170N10AL, HGN190N15S, HGN195N15S, 13N50, HGN200N10SL, HGN210N12SL, HGN230A10AL, HGN230N10AL, HGN240N15S, HGN290N10SL, HGN320N20S, HGN320N20SL