HGN240N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGN240N15S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de HGN240N15S MOSFET
HGN240N15S Datasheet (PDF)
hgn240n15s.pdf

P-1HGN240N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching21RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability43 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed CircuitD
Otros transistores... HGN170N10AL , HGN190N15S , HGN195N15S , HGN195N15SL , HGN200N10SL , HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , AON7506 , HGN290N10SL , HGN320N20S , HGN320N20SL , HGN480N15M , HGN640N25S , HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL .
History: FMI13N60E | DM10N65C-2 | 2N5640
History: FMI13N60E | DM10N65C-2 | 2N5640



Liste
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