HGN240N15S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGN240N15S 📄📄
Código: GN240N15S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Encapsulados: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de HGN240N15S MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
HGN240N15S datasheet
hgn240n15s.pdf
P-1 HGN240N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 21 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 43 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit D
Otros transistores... HGN170N10AL, HGN190N15S, HGN195N15S, HGN195N15SL, HGN200N10SL, HGN210N12SL, HGN230A10AL, HGN230N10AL, IRFB3607, HGN290N10SL, HGN320N20S, HGN320N20SL, HGN480N15M, HGN640N25S, HGN650N15S, HGN650N15SL, HGP028NE6AL
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor
