Справочник MOSFET. HGN240N15S

 

HGN240N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN240N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN240N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN240N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:904K  cn hunteck
 hgn240n15s.pdf pdf_icon

HGN240N15S

P-1HGN240N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching21RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability43 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed CircuitD

Другие MOSFET... HGN170N10AL , HGN190N15S , HGN195N15S , HGN195N15SL , HGN200N10SL , HGN210N12SL , HGN230A10AL , HGN230N10AL , AON7506 , HGN290N10SL , HGN320N20S , HGN320N20SL , HGN480N15M , HGN640N25S , HGN650N15S , HGN650N15SL , HGP028NE6AL .

History: STF11N65K3 | CSD86330Q3D | AP3990S | PA110NV | APT30M30JFLL | P7510EEU | APM3023NV

 

 
Back to Top

 


 
.