HGN240N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN240N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN240N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN240N15S даташит

 ..1. Size:904K  cn hunteck
 hgn240n15s.pdf pdf_icon

HGN240N15S

P-1 HGN240N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 21 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 43 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit D

Другие IGBT... HGN170N10AL, HGN190N15S, HGN195N15S, HGN195N15SL, HGN200N10SL, HGN210N12SL, HGN230A10AL, HGN230N10AL, IRFB3607, HGN290N10SL, HGN320N20S, HGN320N20SL, HGN480N15M, HGN640N25S, HGN650N15S, HGN650N15SL, HGP028NE6AL