HGN650N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGN650N15S
   Código: GN650N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGN650N15S

HGN650N15S Datasheet (PDF)

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hgn650n15s.pdf

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0.1. Size:893K cn hunteck
hgn650n15sl.pdf

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