HGN650N15S Todos los transistores

 

HGN650N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN650N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

HGN650N15S Datasheet (PDF)

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HGN650N15S

HGN650N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching58RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability18 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDFN5x6 DC/DC in T

 0.1. Size:893K  cn hunteck
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HGN650N15S

HGN650N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level58RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability66RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching an

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History: MMP6967 | AOLF66610 | CSD17310Q5A | 2SK1336 | WSD4066DN | VS3618AE | NTLUD4C26N

 

 
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