HGN650N15SL Todos los transistores

 

HGN650N15SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN650N15SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN650N15SL Datasheet (PDF)

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HGN650N15SL

HGN650N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level58RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability66RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching an

 4.1. Size:892K  cn hunteck
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HGN650N15SL

HGN650N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching58RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability18 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDFN5x6 DC/DC in T

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History: HGS059N08A | STP11NB40 | IPA60R600CP | IPD30N03S2L-10 | 2N3822 | APT40M35JVFR | MSU12N60T

 

 
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