HGP070N12SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGP070N12SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 125 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO-220

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HGP070N12SL datasheet

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HGP070N12SL

HGP070N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 125 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

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HGP070N12SL

, P-1 HGB070N12S HGP070N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-263 6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 133 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain H

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HGP070N12SL

HGB070N15S , HGK070N15S P-1 HGP070N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 5.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free ID Application Synchronous Rectification in SMPS

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