HGP070N12SL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGP070N12SL 📄📄
Маркировка: GP070N12SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-220
📄📄 Копировать ⓘ
Аналог (замена) для HGP070N12SL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGP070N12SL даташит
hgp070n12sl.pdf
HGP070N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 125 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS
hgb070n12s hgp070n12s.pdf
, P-1 HGB070N12S HGP070N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-263 6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 133 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain H
hgb070n15s hgk070n15s hgp070n15s.pdf
HGB070N15S , HGK070N15S P-1 HGP070N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 5.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free ID Application Synchronous Rectification in SMPS
Другие IGBT... HGN640N25S, HGN650N15S, HGN650N15SL, HGP028NE6AL, HGP035N08AL, HGP042N10AL, HGP045NE4SL, HGP050N10AL, IRF1407, HGP080N10S, HGP080N10SL, HGP098N10S, HGP100N12SL, HGP130N12SL, HGP190N15SL, HGP195N15SL, HGP1K2N20ML
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r



