HGP098N10S Todos los transistores

 

HGP098N10S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP098N10S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 468 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0102 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HGP098N10S Datasheet (PDF)

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HGP098N10S

HGP098N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability9.0RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainPin2 Hard Switching and High Speed CircuitTO-

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HGP098N10S

HGB098N10A , P-1HGP098N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingRDS(on),typ TO-263 VGS=10V 8.8 mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on),typ TO-220 VGS=10V 9.0 mW Enhanced Avalanche Ruggedness70.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in

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hgb098n10al hgp098n10al.pdf pdf_icon

HGP098N10S

, P-1HGB098N10ALHGP098N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness8.4RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free68 AID (Sil

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HGP098N10S

HGB095NE4SL , HGP095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.6RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V10.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness7.9RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V11RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

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History: AUIRFB4127 | AON6312 | SVF18N50T | NTMFS5C426NT1G | 2SK817 | G100N03 | OSG65R580DF

 

 
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