HGS046NE6A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGS046NE6A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 769 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HGS046NE6A datasheet

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HGS046NE6A

HGS046NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 4.7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 17 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2

 0.1. Size:1147K  cn hunteck
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HGS046NE6A

HGS046NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 4.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in

 9.1. Size:1008K  cn hunteck
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HGS046NE6A

HGS048N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 4.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 21 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS SOIC-8 Hard Swit

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