HGS046NE6AL Todos los transistores

 

HGS046NE6AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGS046NE6AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 870 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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HGS046NE6AL Datasheet (PDF)

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HGS046NE6AL

HGS046NE6ALP-165V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 6.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 18 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in

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HGS046NE6AL

HGS046NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching4.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability17 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2

 9.1. Size:1008K  cn hunteck
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HGS046NE6AL

HGS048N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.8RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness21 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit

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History: N2500N | DH850N10I

 

 
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