HGS054NE4SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGS054NE4SL
Código: GS054NE4SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 756 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGS054NE4SL
HGS054NE4SL Datasheet (PDF)
hgs054ne4sl.pdf
HGS054NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness20 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit
hgs059n08a.pdf
HGS059N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching5.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability17 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8
hgs059n08al.pdf
HGS059N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability7.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness17 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS
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Liste
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