HGS059N08AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGS059N08AL
Código: GS059N08AL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 43 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 540 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0059 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGS059N08AL
HGS059N08AL Datasheet (PDF)
hgs059n08al.pdf
HGS059N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 4.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability7.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness17 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS
hgs059n08a.pdf
HGS059N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching5.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability17 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8
hgs054ne4sl.pdf
HGS054NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness20 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard Swit
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