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HGS098N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGS098N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 538 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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HGS098N10SL Datasheet (PDF)

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HGS098N10SL

HGS098N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 8.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness13 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a

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HGS098N10SL

HGS098N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching 8.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainSOIC-8Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit2

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HGS098N10SL

HGS098N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 8.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12.9 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

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HGS098N10SL

HGS098N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12.8 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard S

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History: FMI13N60E | DM10N65C-2 | 2N5640

 

 
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