HGS098N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGS098N10SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 538 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для HGS098N10SL
HGS098N10SL Datasheet (PDF)
hgs098n10sl.pdf

HGS098N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 8.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness13 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a
hgs098n10a.pdf

HGS098N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching 8.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability13 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrainSOIC-8Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit2
hgs098n10al.pdf

HGS098N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic level 8.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12.9 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching
hgs098n06sl.pdf

HGS098N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12.8 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPSSOIC-8 Hard S
Другие MOSFET... HGS090N06SL , HGS090NE6A , HGS090NE6AL , HGS092NE6AL , HGS095NE4SL , HGS098N06SL , HGS098N10A , HGS098N10AL , AO3407 , HGS110N08A , HGS110N08AL , HGS120N06SL , HGS120N10AL , HGS120N10SL , HGS130N12SL , HGS170N10AL , HGS195N15SL .
History: FMV10N60E | STP22NS25Z
History: FMV10N60E | STP22NS25Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg