HGS120N06SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGS120N06SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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HGS120N06SL datasheet

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HGS120N06SL

HGS120N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 12 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 11 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and H

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HGS120N06SL

HGS120N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 12.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 15.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 11 A ID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 36 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchr

 7.2. Size:929K  cn hunteck
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HGS120N06SL

HGS120N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

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