HGS120N06SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGS120N06SL
Маркировка: GS120N06SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18.5 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 318 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для HGS120N06SL
HGS120N06SL Datasheet (PDF)
hgs120n06sl.pdf
HGS120N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability12RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness11 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and H
hgs120n10al.pdf
HGS120N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level12.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability15.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness11 AID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested36 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchr
hgs120n10sl.pdf
HGS120N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
