HGS650N15SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGS650N15SL
Código: GS650N15SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 8.2 nC
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 43 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGS650N15SL
HGS650N15SL Datasheet (PDF)
hgs650n15sl.pdf
HGS650N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level58.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability66.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS
hgs650n15s.pdf
HGS650N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching58.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability5 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8G
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
