HGS650N15SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGS650N15SL
Маркировка: GS650N15SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.2 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 43 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для HGS650N15SL
HGS650N15SL Datasheet (PDF)
hgs650n15sl.pdf
HGS650N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level58.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability66.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS
hgs650n15s.pdf
HGS650N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching58.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability5 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8G
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
