HGT009N08A Todos los transistores

 

HGT009N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGT009N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2871 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

 Búsqueda de reemplazo de HGT009N08A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGT009N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  cn hunteck
 hgt009n08a.pdf pdf_icon

HGT009N08A

P-1HGT009N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching80 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness585 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested360 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 9.1. Size:992K  cn hunteck
 hgt007ne6a.pdf pdf_icon

HGT009N08A

P-1HGT007NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.62RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness674 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested360 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Otros transistores... HGS290N10SL , HGS380N12S , HGS480N15M , HGS650N15S , HGS650N15SL , HGS750N15M , HGS750N15ML , HGT007NE6A , 10N60 , HGT015N10S , HGT016NE6A , HGT019N08A , HGT022N12S , HGT025N10A , HGT035N12S , HGT041N15S , HGT055N15S .

History: SPB16N50C3 | 2P7154VC

 

 
Back to Top

 


 
.