HGT019N08A Todos los transistores

 

HGT019N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGT019N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 319 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1396 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

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HGT019N08A Datasheet (PDF)

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HGT019N08A

HGT019N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching1.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability294 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness240 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and H

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HGT019N08A

HGT016NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability1.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness355 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested240 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and H

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 hgt015n10s.pdf pdf_icon

HGT019N08A

HGT015N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability1.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness446 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested360 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High S

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History: DMP2160U | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | RQJ0304DQDQS | CEU4269 | CHM4435AZGP | IPB65R045C7

 

 
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