HGT041N15S Todos los transistores

 

HGT041N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGT041N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 239 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 773 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

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HGT041N15S Datasheet (PDF)

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HGT041N15S

P-1HGT041N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth Switching3.8RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability239 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit Power Tool

Otros transistores... HGT007NE6A , HGT009N08A , HGT015N10S , HGT016NE6A , HGT019N08A , HGT022N12S , HGT025N10A , HGT035N12S , IRF9540 , HGT055N15S , HGW053N06SL , HGW055N10SL , HGW059N12S , HGW059N12SL , HGW100N12S , HGW100N12SL , HGW105N15M .

History: PHB11N50E | SSM6K34TU | IRHY597130CM | SVSP11N70FD2

 

 
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