HGW055N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGW055N10SL
   Código: GW055N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 214 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 60 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 323 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGW055N10SL

HGW055N10SL Datasheet (PDF)

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hgw055n10sl.pdf

HGW055N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature4.9RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 5.8RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 153 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability120 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion D

9.1. Size:805K cn hunteck
hgw059n12sl.pdf

HGW059N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level5RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

9.2. Size:773K cn hunteck
hgw053n06sl.pdf

HGW053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level4.1RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness105 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrai

9.3. Size:803K cn hunteck
hgw059n12s.pdf

HGW059N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability160 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness113 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed

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Liste

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