HGW190N15SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGW190N15SL
   Código: GW190N15SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGW190N15SL

HGW190N15SL Datasheet (PDF)

..1. Size:775K cn hunteck
hgw190n15sl.pdf

HGW190N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeature16.0RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 69 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and H

4.1. Size:772K cn hunteck
hgw190n15s.pdf

HGW190N15S P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeatureTO-262 16RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching79 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and High Speed CircuitPi

9.1. Size:934K cn hunteck
hgw195n15s.pdf

HGW195N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching16RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability59 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed CircuitTO

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Liste

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