HTD035N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTD035N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de HTD035N03 MOSFET
HTD035N03 Datasheet (PDF)
htd035n03.pdf

HTD035N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness80 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part Nu
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History: SM4301PSKP | 7NM70G-TF3-T | SWT38N70K | AP75N07GP | IXFX120N25P | AP6680GM | TPC8086
History: SM4301PSKP | 7NM70G-TF3-T | SWT38N70K | AP75N07GP | IXFX120N25P | AP6680GM | TPC8086



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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