HTD300N10 Todos los transistores

 

HTD300N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTD300N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 209 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HTD300N10 Datasheet (PDF)

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HTD300N10

HTD300N10 P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level26RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness50 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part

Otros transistores... HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , 20N50 , HTD350C04 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 , HTD760P10T , HTD950P06 .

History: OSG60R099FT3F | CHM71A3PAGP | NDB6030L

 

 
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