HTD440P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTD440P04
Código: TD440P04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 405 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.044 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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HTD440P04 Datasheet (PDF)
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htd440p04.pdf
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HTD440P04 P-140V P-Ch Power MOSFETFeature-40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level38RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness50RDS(on),typ VGS=7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-20 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free-12 AID (Package Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit
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