HTD440P04 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD440P04  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de HTD440P04 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HTD440P04 datasheet

 ..1. Size:577K  cn hunteck
 htd440p04.pdf pdf_icon

HTD440P04

HTD440P04 P-1 40V P-Ch Power MOSFET Feature -40 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 38 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 50 RDS(on),typ VGS=7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -20 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free -12 A ID (Package Limited) Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit

Otros transistores... HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, BS170, HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, HTJ200N02