HTD440P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTD440P04
   Código: TD440P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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HTD440P04 Datasheet (PDF)

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htd440p04.pdf

HTD440P04 P-140V P-Ch Power MOSFETFeature-40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level38RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness50RDS(on),typ VGS=7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-20 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free-12 AID (Package Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: