HTD440P04 Todos los transistores

 

HTD440P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTD440P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HTD440P04 Datasheet (PDF)

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HTD440P04

HTD440P04 P-140V P-Ch Power MOSFETFeature-40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level38RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness50RDS(on),typ VGS=7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-20 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free-12 AID (Package Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit

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History: NCE6080ED | NX138BK

 

 
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