HTD760P10T Todos los transistores

 

HTD760P10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTD760P10T
   Código: TD760P10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTD760P10T

 

HTD760P10T Datasheet (PDF)

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htd760p10t.pdf

HTD760P10T
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P-1HTD760P10T100V P-Ch Power MOSFET-100 VVDSFeature63RDS(on),typ VGS=10V mW High Speed Power Switching, Logic Level72RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness-30 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication TO-252Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms and InductrialG

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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