HTD760P10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTD760P10T
   Código: TD760P10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 78 nC
   Tiempo de subida (tr): 14 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 345 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.076 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTD760P10T

HTD760P10T Datasheet (PDF)

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htd760p10t.pdf

P-1HTD760P10T100V P-Ch Power MOSFET-100 VVDSFeature63RDS(on),typ VGS=10V mW High Speed Power Switching, Logic Level72RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness-30 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeDrainApplication TO-252Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms and InductrialG

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: