HTD760P10T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTD760P10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HTD760P10T datasheet

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HTD760P10T

P-1 HTD760P10T 100V P-Ch Power MOSFET -100 V VDS Feature 63 RDS(on),typ VGS=10V mW High Speed Power Switching, Logic Level 72 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness -30 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Drain Application TO-252 Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms and Inductrial G

Otros transistores... HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06, IRF1407, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, HTJ200N02, HTJ270N03, HTJ300N02, HTJ350N03