HTJ1K0P02 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTJ1K0P02

Código: 21

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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HTJ1K0P02 datasheet

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HTJ1K0P02

HTJ1K0P02 P-1 20V P-Ch Power MOSFET -20 V VDS Feature 83 RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level 110 RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -3 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor SOT-23 Drain D S Gate G Part Number Packa

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HTJ1K0P02

HTJ1K3P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET -30 V VDS Feature 100 RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level 140 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -3.1 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor SOT-23 Drain D S Gate G Part Number Pac

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HTJ1K0P02

HTJ1K5P06 P-1 60V P-Ch Power MOSFET -60 V VDS Feature 125 RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level 160 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -2.2 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor SOT-23 Drain D S Gate G Part Number Pa

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