HTJ270N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTJ270N03

Código: 14

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.9 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HTJ270N03 datasheet

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HTJ270N03

HTJ270N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 19 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 30 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 6 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial SOT

Otros transistores... HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06, HTJ200N02, AO3407, HTJ300N02, HTJ350N03, HTJ440P02, HTJ440P02E, HTJ440P03, HTJ450N02, HTJ500N03, HTJ500P03