HTM060N03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HTM060N03

Código: TM060N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 34.6 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 328 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

 Búsqueda de reemplazo de HTM060N03 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HTM060N03 datasheet

 ..1. Size:1091K  cn hunteck
 htm060n03.pdf pdf_icon

HTM060N03

HTM060N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 26 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number Pac

 9.1. Size:575K  cn hunteck
 htm063p02.pdf pdf_icon

HTM060N03

HTM063P02 P-1 20V P-Ch Power MOSFET Feature -20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -46 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Numbe

Otros transistores... HTJ600N06, HTJ650P02, HTJ850P03, HTL140N02, HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, HTM058N03P, IRFZ46N, HTM063P02, HTM095P02, HTM105P03P, HTM120N03, HTM120N03P, HTM150A02, HTM200N03, HTM200P03