HTM120N03 Todos los transistores

 

HTM120N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTM120N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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HTM120N03 Datasheet (PDF)

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HTM120N03

HTM120N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level9.7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness18.5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number

 0.1. Size:1047K  cn hunteck
 htm120n03p.pdf pdf_icon

HTM120N03

HTM120N03P P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness11RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested28 AID Lead FreeApplication Hard Switching and High Speed CircuitDrainDFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number Pa

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History: IPD031N03L

 

 
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