HTM120N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTM120N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HTM120N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM120N03 даташит

 ..1. Size:902K  cn hunteck
 htm120n03.pdf pdf_icon

HTM120N03

HTM120N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 9.7 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 18.5 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number

 0.1. Size:1047K  cn hunteck
 htm120n03p.pdf pdf_icon

HTM120N03

HTM120N03P P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 11 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 28 A ID Lead Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3.3x3.3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number Pa

Другие IGBT... HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, HTM058N03P, HTM060N03, HTM063P02, HTM095P02, HTM105P03P, IRFB7545, HTM120N03P, HTM150A02, HTM200N03, HTM200P03, HTN019N03P, HTN020N03, HTN020N04P, HTN021N03