HTM150A02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTM150A02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
Búsqueda de reemplazo de HTM150A02 MOSFET
HTM150A02 Datasheet (PDF)
htm150a02.pdf

HTM150A02P-120V Dual N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level13RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness7 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialPart Number Package MarkingPin 1HTM150A02
Otros transistores... HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , IRF9640 , HTM200N03 , HTM200P03 , HTN019N03P , HTN020N03 , HTN020N04P , HTN021N03 , HTN027N03P , HTN027P02 .
History: RUH60120M | KI1400DL | IRF540Z | SI4825DY | ME15N25 | HFD2N60S | AP65SL190AP
History: RUH60120M | KI1400DL | IRF540Z | SI4825DY | ME15N25 | HFD2N60S | AP65SL190AP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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