HTM150A02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTM150A02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HTM150A02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM150A02 даташит

 ..1. Size:821K  cn hunteck
 htm150a02.pdf pdf_icon

HTM150A02

HTM150A02 P-1 20V Dual N-Ch Power MOSFET Feature 20 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 13 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 7 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Part Number Package Marking Pin 1 HTM150A02

Другие IGBT... HTM040N03P, HTM058N03P, HTM060N03, HTM063P02, HTM095P02, HTM105P03P, HTM120N03, HTM120N03P, K2611, HTM200N03, HTM200P03, HTN019N03P, HTN020N03, HTN020N04P, HTN021N03, HTN027N03P, HTN027P02