HTM150A02 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTM150A02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для HTM150A02
HTM150A02 Datasheet (PDF)
htm150a02.pdf

HTM150A02P-120V Dual N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level13RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness7 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialPart Number Package MarkingPin 1HTM150A02
Другие MOSFET... HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , IRFZ48N , HTM200N03 , HTM200P03 , HTN019N03P , HTN020N03 , HTN020N04P , HTN021N03 , HTN027N03P , HTN027P02 .
History: GSM2604 | DH100P30C | IXFK150N15P
History: GSM2604 | DH100P30C | IXFK150N15P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor