Справочник MOSFET. HTM150A02

 

HTM150A02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTM150A02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для HTM150A02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM150A02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:821K  cn hunteck
 htm150a02.pdf pdf_icon

HTM150A02

HTM150A02P-120V Dual N-Ch Power MOSFETFeature20 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level13RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness7 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialPart Number Package MarkingPin 1HTM150A02

Другие MOSFET... HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , IRF9640 , HTM200N03 , HTM200P03 , HTN019N03P , HTN020N03 , HTN020N04P , HTN021N03 , HTN027N03P , HTN027P02 .

 

 
Back to Top

 


 
.