HTO500P03 Todos los transistores

 

HTO500P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTO500P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HTO500P03 Datasheet (PDF)

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HTO500P03

HTO500P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature42RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level66RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorDrainTSOP-6GatePart Number Package Marking

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History: AO3421

 

 
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