HTO500P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTO500P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de HTO500P03 MOSFET
HTO500P03 Datasheet (PDF)
hto500p03.pdf

HTO500P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature42RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level66RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorDrainTSOP-6GatePart Number Package Marking
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History: SI7136DP | BL20N50-P | 2N3954 | 2N3957 | ME2306S-G | IRFHM8228 | BLD6G22LS-50
History: SI7136DP | BL20N50-P | 2N3954 | 2N3957 | ME2306S-G | IRFHM8228 | BLD6G22LS-50



Liste
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