HTO500P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTO500P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для HTO500P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTO500P03 даташит

 ..1. Size:563K  cn hunteck
 hto500p03.pdf pdf_icon

HTO500P03

HTO500P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET -30 V VDS Feature 42 RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level 66 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -5 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor Drain TSOP-6 Gate Part Number Package Marking

Другие IGBT... HTN027N03P, HTN027P02, HTN030N03, HTN035N04P, HTN036N03P, HTN036P03, HTN070A03, HTO350N03, IRF540N, HTP2K1P10, HTS050N03, HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04