HTS075P03 Todos los transistores

 

HTS075P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTS075P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3776 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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HTS075P03 Datasheet (PDF)

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HTS075P03

HTS075P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness9RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-15 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplicationPin2 Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and

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History: 10N65KG-TF1-T | NTLJD3182FZTBG | IXTH96P085T | SWB020R03VLT | NP20P04SLG | 2SJ264 | 2N65M

 

 
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