HTS200P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTS200P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 208 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTS200P03
HTS200P03 Datasheet (PDF)
hts200p03.pdf
HTS200P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness26RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-10 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms and In
hts200n03.pdf
HTS200N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness9.5 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainSOIC-8 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number
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